מספר מוצר של יצרן:
IPD09N03LA G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD09N03LA G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
מלאי:
12800911
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD09N03LA G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1642 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-11
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
OPD09N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD09N03LAGXTINTR-DG
IPD09N03LAGINTR
IPD09N03LAGINTR-NDR
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-DG
IPD09N03LAGBUMA1
IPD09N03LAG
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINTR
IPD09N03LAINTR
SP000017536
IPD09N03LA
IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAINTR-DG
IPD09N03LAGXTINCT-DG
IPD09N03LAGXT
IPD09N03LAGINCT-NDR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD090N03LGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
94138
DiGi מספר חלק
IPD090N03LGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Direct
מספר חלק
FDD8880
יצרן
onsemi
כמות זמינה
13967
DiGi מספר חלק
FDD8880-DG
מחיר ליחידה
0.27
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB60R099CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
IPDD60R190G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
